Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы ...

IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 25 шт. — 95 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000617721

Артикул: IRF7307TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7307TRPBF от производителя INFINEON представляет собой высококачественный компонент в корпусе SO8, предназначенный для монтажа типа SMD. Данная модель сочетает в себе N+P-MOSFET структуру, что позволяет использовать его в различных сферах электроники. Ток стока достигает 5,2 А, а напряжение сток-исток сохраняется на уровне 20 В, обеспечивая надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 1,4 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,05 Ом, гарантирует эффективное и экономичное управление током. Для удобства интеграции в схемы компоненты также отличаются высокой плотностью упаковки и оптимизированы для работы с логическими уровнями. Ищите IRF7307TRPBF для решения ваших технических задач. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N+P-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	5.2
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	1.4
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.05
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.7/4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	8.3/4
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15