IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]

Артикул: IRF7313PBF
Ном. номер: 174406904
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]Фото 3/3 IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
24 руб. × = 24 руб.
от 25 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 19 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7313PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1

Дополнительная информация

Datasheet IRF7313PBF
IRF7313PBF Data Sheet IRF7313PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов