IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]

Артикул: IRF7341PBF
Ном. номер: 587456969
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]Фото 3/3 IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
24 руб. × = 24 руб.
от 25 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 19 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7341PBF is a 55V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Surface mount
• Dynamic dV/dt rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1

Дополнительная информация

Datasheet IRF7341PBF
Datasheet IRF7341PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов