IRF7341GTRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount

IRF7341GTRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8000210436
Артикул: IRF7341GTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
270 руб.
1175 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 197 руб.
от 100 шт. — 153 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Рассеиваемая Мощность 1.7Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 5.1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.043Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции HEXFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Вес, г 0.1

Дополнительная информация

Datasheet IRF7341GTRPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.