IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
![Фото 1/2 IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5367 шт. со склада г.Москва
82 руб.
от 50 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Описание Транзистор MOSFET
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом/4.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4 | |
| Крутизна характеристики, S | 15 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7341TRPBF
pdf, 952 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
