IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]

Артикул: IRF7351PBF
Ном. номер: 9000102746
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Фото 2/5 IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]Фото 3/5 IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]Фото 4/5 IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]Фото 5/5 IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Ожидается поступление на склад г.Москва: 30 ноября 2017 г. — 435 шт., 1 декабря 2017 г. — 150 шт.
43 руб. × = 43 руб.
от 25 шт. — 41 руб.
от 95 шт. — 37.73 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7351PBF is a 60V dual N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for low power motor drive systems. It is compatible with existing surface mount techniques. This synchronous rectifier MOSFET is designed for isolated DC-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Trench MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 0.016W/°C Linear derating factor
• 50A Avalanche current (IAR)
• 20°C/W Thermal resistance, junction to drain lead
• 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
полевая сборка
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF7351PBF datasheet
pdf, 282 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7351PBF
MOSFET N-CH 60V 8A