Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › No trademark › IRF7380PBF, Транзистор, 2N-канала 80В 3.6А [SO-8]

IRF7380PBF, Транзистор, 2N-канала 80В 3.6А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели

190 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 8010959926

Артикул: IRF7380PBF

Бренд: Нет торговой марки

Описание

MOSFET Transistor, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:3.6A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):61mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation Pd:2W , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand	Infineon/IR
Configuration	Dual
Factory Pack Quantity	4000
Fall Time	17 ns
Forward Transconductance - Min	4.3 S
Height	1.75 mm
Id - Continuous Drain Current	3.6 A
Length	4.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	2 Channel
Package / Case	SO-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	2 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	73 mOhms
Rise Time	10 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	41 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Unit Weight	0.019048 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Width	3.9 mm
Вес, г	0.15