IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]

Фото 1/5 IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2718 шт. со склада г.Москва
240 руб.
от 25 шт.137 руб.
от 250 шт.117 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000612814
Артикул: IRF7389TRPBF
Страна происхождения: ФИЛИППИНЫ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 5,3 А, 7,3 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 8.1 ns, 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 26 ns, 34 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 46 mΩ, 98 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
Тип канала N, P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet irf7389pbf
pdf, 259 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах