Мой регион: Россия

IRF7403TRPBF

Ном. номер: 8219425100
PartNumber: IRF7403TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7403TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF7403TRPBF
96 руб.
1685 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 79 руб.
от 100 шт. — 56 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
50 руб. 3 дня, 5 шт. 5 шт. 5 шт.
76 руб. 1-2 недели, 71 шт. 1 шт. 1 шт.
от 20 шт. — 42 руб.
от 40 шт. — 33 руб.
70.20 руб. 3-4 недели, 14 шт. 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики S,А/В
8.4
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.