IRF7406
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
229 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
174 руб.
от 100 шт. —
153.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8002025420
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -5.8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 5.8 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 45@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1(Min) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 59(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 59(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1100@25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 490 |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 243 КБ
Datasheet IRF7406
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
