IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8]
![Фото 1/6 IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 руб.
от 15 шт. —
75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 80 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом/2.8А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF7406
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
