IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, (=IRF7413TRPBF), [SO-8]

Артикул: IRF7413PBF
Ном. номер: 29905
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, (=IRF7413TRPBF), [SO-8]
Фото 2/3 IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, (=IRF7413TRPBF), [SO-8]Фото 3/3 IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, (=IRF7413TRPBF), [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
29 руб. × = 29 руб.
от 25 шт. — 25 руб.
от 250 шт. — 24 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7413PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in typical PCB mount applications.

• Generation V technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• 100% Rg tested
• Low switching losses
• Low conduction losses

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1

Дополнительная информация

Datasheet IRF7413PBF
IRF7413PBF Data Sheet IRF7413PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов