IRF7465PBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1

PartNumber: IRF7465PBF
Ном. номер: 8059450180
Производитель: International Rectifier
IRF7465PBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
44 руб. × = 1 364 руб.
Цена указана за упаковку из 31
Количество товаров должно быть кратно 31 уп.
от 155 уп. — 37 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Максимальный непрерывный ток стока
1.9 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.28 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
330 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки включения
7 ns
Ширина
4mm
Прямое напряжение диода
1.3V
Прямая активная межэлектродная проводимость
0.75с
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.5mm
Длина
5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IRF7465PbF, HEXFET Power MOSFET IRF7465PBF