IRF7501, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5А 1.65Вт 0.028Ом [SOP-8.]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9001729000

Артикул

IRF7501

Бренд

Структура

2N-канала

Корпус

SOIC-8

Особенности

Enhancement Mode

Вес, г

0.196

Все параметры

pdf, 1641 КБ

2263 шт. со склада г.Москва

12 руб.

от 50 шт. — 9 руб.

от 500 шт. — 8.70 руб.

1 шт. на сумму 12 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.006 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.65
Корпус	SOIC-8
Особенности	Enhancement Mode
Пороговое напряжение на затворе	0.4…1
Вес, г	0.196

pdf, 1641 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем