IRF7501TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 2.4 А, 0.085 Ом, µSOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 160 руб.

от 250 шт. — 122 руб.

Добавить в корзину 15 шт. на сумму 3 150 руб.

Номенклатурный номер: 8000562277

Артикул: IRF7501TRPBF

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

SP001575316

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel	0.085Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.085Ом
Power Dissipation N Channel	1.25Вт
Power Dissipation P Channel	1.25Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	HEXFET Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	20В
Непрерывный Ток Стока	2.4А
Непрерывный Ток Стока, N Канал	2.4А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	2.4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	700мВ
Рассеиваемая Мощность	1.25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.085Ом
Стиль Корпуса Транзистора	µSOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.128

pdf, 143 КБ

Мы рекомендуем