IRF7503, Транзистор 2N-MOSFET 30В 5.8А 2.1Вт 0.028Ом [SOP-8.]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9001728997

Артикул

IRF7503

Бренд

Структура

2N-канала

Крутизна характеристики, S

Корпус

SOIC-8

Особенности

Enhancement Mode

Вес, г

0.196

Все параметры

pdf, 1708 КБ

2875 шт. со склада г.Москва

15 руб.

от 50 шт. — 11 руб.

1 шт. на сумму 15 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.019 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.1
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	SOIC-8
Особенности	Enhancement Mode
Пороговое напряжение на затворе	1…2.4
Вес, г	0.196

pdf, 1708 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем