Мой регион: Россия

IRF7759L2TRPBF, MOSFET N-Ch 75V 160A Dire

PartNumber: IRF7759L2TRPBF
Ном. номер: 8000002205
Производитель: Infineon Technologies
IRF7759L2TRPBF, MOSFET N-Ch 75V 160A Dire
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
690 руб.
1032 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 370 руб.
от 100 шт. — 292 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
448 руб. 3-4 недели, 2671 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 379 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Тип корпуса
L8
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
7.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
74S
Высота
5.2мм
Размеры
8.5 x 7.1 x 5.2мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
8.5мм
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
80 нс
Серия
DirectFET, HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.3 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
9+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
12222 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.