Мой регион: Россия

IRF7807TRPBF, HEXFET MOSFET 8.3A 30V fo

PartNumber: IRF7807TRPBF
Ном. номер: 8000005367
Производитель: International Rectifier
IRF7807TRPBF, HEXFET MOSFET 8.3A 30V fo
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
81 руб.
260 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 54 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
85 руб. 2-3 недели, 2440 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 76 руб.
от 100 шт. — 59 руб.
85 руб. 3-4 недели, 1624 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 74 руб.
от 25 шт. — 73.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8,3 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
25 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
25 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.