IRF7807ZTRPBF, MOSFET N-Ch 30V 11A HEXFET SOIC8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6320 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
59 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
39 руб.
от 500 шт. —
33 руб.
от 1000 шт. —
28.48 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 590 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors
МОП-транзистор MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 7.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SP001570494 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
