IRF7809AV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
510 руб.
от 2 шт. —
410 руб.
от 5 шт. —
336 руб.
от 10 шт. —
309.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8003162051
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V,13.3A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 13.3A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3780pF @ 16V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 4.5V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
IRF7809AV Datasheet
pdf, 200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
