Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]

Артикул: IRF7811AVPBF
Ном. номер: 2906700457
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]Фото 3/3 IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
47 × = 47
от 10 шт. — 35 руб.
от 100 шт. — 33 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7811AVPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for vapour phase, infrared, convection or wave soldering techniques. This new device employs advanced HEXFET® power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of ON-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7811AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS (ON), gate charge and CdV/dt-induced turn-ON immunity. It offers an extremely low combination of Qsw and RDS (ON) for reduced losses in both control and synchronous FET applications. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application.

• Low conduction losses
• Low switching losses
• 100% Rg tested
• Fast switching

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…3

Техническая документация

IRF7811AVPBF Datasheet
pdf, 111 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7811AVPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов