IRF7811AV

IRF7811AV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
354 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
600 руб.
от 2 шт.500 руб.
от 5 шт.424 руб.
от 10 шт.392.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8002025464
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 14А, 3,5Вт, SO8

Технические параметры

Category Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A(Ta)
Design Resources IRF7811AVTRPBF Saber ModelIRF7811AVTRPBF Spice Model
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Family FETs-Single
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 26nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1801pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Online Catalog N-Channel Logic Level Gate FETs
Other Names *IRF7811AVTRPBFIRF7811AVPBFCT
Package / Case 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape(CT)
PCN Assembly/Origin Alternate Assembly Site 15/Apr/2014
Power - Max 2.5W
Product Training Modules High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 15A, 4.5V
Series HEXFET®
Standard Package 1
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Вес, г 0.15

Техническая документация

IRF7811AVPBF Datasheet
pdf, 111 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.