IRF7815
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
303 руб.
от 10 шт. —
277.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 150V, 5.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.1A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1647pF @ 75V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3.1A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
IRF7815PBF datasheet
pdf, 282 КБ
Документация
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
