IRF7820
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
370 руб.
от 2 шт. —
270 руб.
от 4 шт. —
219 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Номенклатурный номер: 8002030279
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 3.7A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.0625ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.7 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 78@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 29 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 29@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1750@100V |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
irf7820pbf
pdf, 214 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
