IRF7832
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
138 руб.
от 100 шт. —
117.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 440 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002025467
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 30V, 20A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.32V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 155В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7832PBF
pdf, 262 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
