Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]

Артикул: IRF7832PBF
Ном. номер: 3455112698
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]
Фото 2/4 IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]Фото 3/4 IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]Фото 4/4 IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
37 × = 37
от 50 шт. — 32 руб.
от 95 шт. — 24.18 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRF7832PBF Datasheet
pdf, 262 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7832PBF
IRF7832PbF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRF7832PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов