IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]

Артикул: IRF7853PBF
Ном. номер: 9020003364
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]Фото 3/3 IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
49 руб. × = 49 руб.
от 25 шт. — 45 руб.
от 95 шт. — 39 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах


N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

IRF7853PBF Datasheet
pdf, 208 КБ

Дополнительная информация

MOSFET N-ch HEXFET 100V 8.3A SOIC8 Data Sheet IRF7853PBF