IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

от 50 шт. — 261 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.

Номенклатурный номер: 9000559305

Артикул: IRF7853TRPBF

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 8,3А, 2,5Вт, SO8

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.17

pdf, 208 КБ

Мы рекомендуем