Мой регион: Россия

IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]

Ном. номер: 9000559305
Артикул: IRF7853TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]Фото 3/3 IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
57 руб.
178 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 53 руб.
от 250 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 57 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Вес, г
0.17

Техническая документация

Datasheet IRF7853
pdf, 208 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7853TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.