Мой регион: Россия

IRF7853TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 8

PartNumber: IRF7853TRPBF
Ном. номер: 8000002209
Производитель: Infineon Technologies
IRF7853TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
3890 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 86 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
108 руб. 3-4 недели, 2274 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 94.10 руб.
от 25 шт. — 93.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 ns
Максимальный непрерывный ток стока
8.3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
11S
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Высота
1.5мм
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
18 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
110 В перем. тока
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1640 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.