Мой регион: Россия

IRF7862TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 21

PartNumber: IRF7862TRPBF
Ном. номер: 8000002211
Производитель: Infineon Technologies
IRF7862TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 21
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
78 руб.
2990 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
93 руб. 3-4 недели, 1026 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 81.60 руб.
от 25 шт. — 81.40 руб.
94 руб. 2-3 недели, 1370 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 65 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
87S
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
18 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4090 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.