IRF7905
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
390 руб.
от 2 шт. —
290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8001973067
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 7.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0174ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A, 8.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | FETs-Arrays |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| PCN Obsolescence/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 |
| Power - Max | 2W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 95 |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 25µA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7905PBF datasheet
pdf, 336 КБ
Документация
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
