Мой регион: Россия

IRF7910TRPBF

Ном. номер: 8189593135
PartNumber: IRF7910TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRF7910TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
390 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 118 руб.
от 100 шт. — 86 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 8 дней, 260 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Package Type
SOIC
Maximum Power Dissipation
2 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
4mm
Forward Transconductance
18s
Height
1.5mm
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
5mm
Transistor Configuration
Isolated
Typical Turn-On Delay Time
9.4 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
16 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pin Count
8
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
1730 pF @ 6 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Forward Diode Voltage
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.