Мой регион: Россия

IRF8010STRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 80A SMPS D2PAK

Ном. номер: 8000002215
PartNumber: IRF8010STRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRF8010STRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 80A SMPS D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 руб.
1810 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 3 дня, 26 шт. 2 шт. 2 шт.
от 26 шт. — 72 руб.
63.50 руб. 3-4 недели, 1600 шт. 800 шт. 800 шт.
от 1600 шт. — 62.90 руб.
184 руб. 3-4 недели, 697 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 156 руб.
от 25 шт. — 140 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
260 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
82s
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
61 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3830 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.