IRF8302MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 190 А, 0.0014 Ом, WDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
710 руб.
от 100 шт. —
521 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 200 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0014Ом |
Power Dissipation | 104Вт |
Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 190А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0014Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | WDSON |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet IRF8302MTRPBF
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов