IRF8302MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 190 А, 0.0014 Ом, WDSON, Surface Mount

Фото 1/2 IRF8302MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 190 А, 0.0014 Ом, WDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.710 руб.
от 100 шт.521 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001882321
Артикул: IRF8302MTRPBF

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0014Ом
Power Dissipation 104Вт
Количество Выводов 5вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 190А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.8В
Рассеиваемая Мощность 104Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0014Ом
Стиль Корпуса Транзистора WDSON
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet IRF8302MTRPBF
pdf, 274 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов