IRF8313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9А 1.6Вт [SOP-8]

IRF8313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9А 1.6Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001634739
Артикул
IRF8313TR
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
SOIC-8
Вес, г
0.196
Все параметры
Datasheet UMW IRF7401
pdf, 403 КБ
2932 шт. со склада г.Москва
35 руб.
от 50 шт.31 руб.
от 500 шт.29 руб.
1 шт. на сумму 35 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 0.7…1.5
Вес, г 0.196
Datasheet UMW IRF7401
pdf, 403 КБ

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.