IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]

Артикул: IRF840PBF
Ном. номер: 38611
Производитель: Vishay
Фото 1/2 IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]
Фото 2/2 IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
32 руб. × = 32 руб.
от 50 шт. — 28 руб.
от 500 шт. — 26.70 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF840PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRF840 datasheet
pdf, 170 КБ
IRF840PBF Datasheet
pdf, 898 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF840PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов