IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]
![Фото 2/5 IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/532/DOC002532549.jpg)
![Фото 3/5 IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/087/DOC003087070.jpg)
![Фото 4/5 IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/095/DOC003095843.jpg)
![Фото 5/5 IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
![Фото 1/5 IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
464 шт. со склада г.Москва
75 руб.
от 15 шт. —
67 руб.
от 150 шт. —
65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 руб.
Описание
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 ом при 4.8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Дополнительная информация
Datasheet IRF840ASPBF
Datasheet IRF840ASPBF
Datasheet IRF840ASPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают
