IRF840BPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 8.7 А, 0.7 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
266 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500 В 8.7 А 156 Вт TO-220AB
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.7 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IRF840BPBF-BE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Rise Time: | 32 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 34 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 3.039 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 140 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
