IRF840LCPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 15 шт. —
88 руб.
от 30 шт. —
84 руб.
от 50 шт. —
80 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A | |
| Тип корпуса | TO-220AB | |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W | |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
| Ширина | 4.7 | |
| Высота | 9.01мм | |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм | |
| Материал транзистора | Кремний | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 10.41мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 12 нс | |
| Производитель | Vishay | |
| Типичное время задержки выключения | 27 нс | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 850 mΩ | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 39 нКл при 10 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | IRF | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Base Product Number | IRF840 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| FET Feature | - | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Series | - | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 125 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Width | 4.7mm | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 268 КБ
Datasheet IRF840LCPBF
pdf, 271 КБ
IRF840LC
pdf, 274 КБ
Документация
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
