IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)
![Фото 1/6 IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 руб.
от 25 шт. —
60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 25 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF8707PBF
pdf, 248 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
