IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
![Фото 1/4 IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](https://lib.chipdip.ru/219/DOC001219575.jpg)
![Фото 2/4 IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](https://lib.chipdip.ru/352/DOC000352930.jpg)
![Фото 3/4 IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](https://lib.chipdip.ru/919/DOC001919025.jpg)
![Фото 4/4 IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](https://lib.chipdip.ru/527/DOC002527076.jpg)
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
| 27 руб. | × | = | 27 руб. |
от 50 шт. — 21 руб.
от 95 шт. — 17.73 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах
Описание
The IRF8736PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology.
• Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
• Low gate charge
• Fully characterized avalanche voltage and current
• 100% Tested for RG
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35
Техническая документация
IRF8736PBF Datasheet
pdf, 247 КБ
Дополнительная информация
Datasheet IRF8736PBF
IRF8736PBF IRF8736PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
