IRF8910PBF, Транзистор HEXFET 2xN-канала 20В 10А 50мОм, [SO-8]

Артикул: IRF8910PBF
Ном. номер: 1532144576
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF8910PBF, Транзистор HEXFET 2xN-канала 20В 10А 50мОм, [SO-8]
Фото 2/3 IRF8910PBF, Транзистор HEXFET 2xN-канала 20В 10А 50мОм, [SO-8]Фото 3/3 IRF8910PBF, Транзистор HEXFET 2xN-канала 20В 10А 50мОм, [SO-8]
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 недели.
130 руб. × = 130 руб.
от 30 шт. — 35 руб.
от 60 шт. — 25.70 руб.

Описание

Dual N-Channel Power MOSFET, International Rectifier
International Rectifier's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
13.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2.55

Техническая документация

IRF8910
pdf, 275 КБ
irf8910pbf
pdf, 285 КБ

Дополнительная информация

IRF8910PbF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRF8910PBF