IRF8915TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 8.9 А, 0.0146 Ом, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

Мин. кол-во для заказа 11 шт.

от 100 шт. — 163 руб.

Добавить в корзину 11 шт. на сумму 2 750 руб.

Номенклатурный номер: 8807497711

Артикул: IRF8915TRPBF

20V 8.9A 18.3mΩ@8.9A,10V 2W 2.5V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

Continuous Drain Current (Id)	8.9A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	18.3mΩ@8.9A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	540pF@10V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	2W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	7.4nC@4.5V
Type	2 N-Channel
Configuration	Dual
Drain-Source Voltage (Vds)	20 V
Fall Time	3.6 ns
Gate-Source Voltage	20 V
Mounting Type	SMD
MSL	Level-1
ON Resistance (Rds(on))	18.3 mOhm
Operating Temperature Max.	150 °C
Operating Temperature Min.	-55 °C
Package Type	SO-8
Packaging	Tape & Reel
Pins	8
Rise Time	12 ns
Transistor Polarity	N-Channel
Turn-OFF Delay Time	7.1 ns
Turn-ON Delay Time	6 ns
Вес, г	0.1