Мой регион: Россия

IRF9333TRPBF

Ном. номер: 8038532174
PartNumber: IRF9333TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRF9333TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
74 руб.
9484 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 60 руб.
от 100 шт. — 35 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 5075 шт. 1 шт. 234 шт.
от 403 шт. — 15 руб.
68 руб. 3-4 недели, 4164 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 56.50 руб.
от 25 шт. — 55.70 руб.
29 руб. 5 дней, 3387 шт. 1 шт. 26 шт.
от 61 шт. — 24 руб.
от 122 шт. — 21 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,2 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
32 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14 nC @ 4.5 V, 25 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1110 pF @ 25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.