IRF9362
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
320 руб.
от 2 шт. —
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002037228
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -8A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Design Resources | IRF9362PBF Saber ModelIRF9362PBF Spice Model |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | FETs-Arrays |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel(Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Online Catalog | P-Channel Logic Level Gate FETs |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Power - Max | 2W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 95 |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF9362PBF datasheet
pdf, 302 КБ
Документация
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
