IRF9530N, Транзистор P-MOSFET 100В 20А 58Вт 0.078Ом [TO-220.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001729065
Артикул
IRF9530N
Структура
P-канал
Корпус
TO-220
Особенности
Advanced Trench Technology
Вес, г
2.762
Все параметры
Datasheet IRF9530N
pdf, 1561 КБ
524 шт. со склада г.Москва
55 руб.
от 25 шт. —
44 руб.
от 250 шт. —
42 руб.
1 шт.
на сумму 55 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 58 | |
| Корпус | TO-220 | |
| Особенности | Advanced Trench Technology | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.5 | |
| Вес, г | 2.762 |
Техническая документация
Datasheet IRF9530N
pdf, 1561 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




