IRF9530N, Транзистор P-MOSFET 100В 20А 58Вт 0.078Ом [TO-220.]

IRF9530N, Транзистор P-MOSFET 100В 20А 58Вт 0.078Ом [TO-220.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001729065
Артикул
IRF9530N
Структура
P-канал
Корпус
TO-220
Особенности
Advanced Trench Technology
Вес, г
2.762
Все параметры
Datasheet IRF9530N
pdf, 1561 КБ
524 шт. со склада г.Москва
55 руб.
от 25 шт.44 руб.
от 250 шт.42 руб.
1 шт. на сумму 55 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.078 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 58
Корпус TO-220
Особенности Advanced Trench Technology
Пороговое напряжение на затворе 1.2…2.5
Вес, г 2.762

Техническая документация

Datasheet IRF9530N
pdf, 1561 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.