Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF9530NSPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [D2-Pak]

Артикул: IRF9530NSPBF
Ном. номер: 9000074696
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF9530NSPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [D2-Pak]
Фото 2/3 IRF9530NSPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [D2-Pak]Фото 3/3 IRF9530NSPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [D2-Pak]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
38 × = 38
от 3 шт. — 33 руб.
от 30 шт. — 31.60 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9530NSPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on- resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rated
• 175°C Operating temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-2…-4

Техническая документация

IRF9530NSPBF Datasheet
pdf, 761 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9530NSPBF
IRF9530NSPBF Data Sheet IRF9530NSPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов