IRF9956PBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А

Фото 1/2 IRF9956PBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 17 шт.79 руб.
от 33 шт.77 руб.
от 66 шт.73 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009142941
Артикул: IRF9956PBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А

Технические параметры

Корпус so-8
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Dual Dual Drain
Maximum Continuous Drain Current - (A) 3.5
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 100@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 30
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 1(Min)
Maximum Power Dissipation - (mW) 2000
Military No
Number of Elements per Chip 2
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Standard Package Name SOP
Supplier Package SOIC
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 6.9
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 6.9@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 190@15V
Typical Output Capacitance - (pF) 120
Вес, г 0.15

Техническая документация

IRF9956 Datasheet
pdf, 161 КБ
Документация
pdf, 178 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов