Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF9Z24NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор ...

IRF9Z24NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 55 В, 12 А, 0.175 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 10 шт. — 290 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 970 руб.

Номенклатурный номер: 8001882262

Артикул: IRF9Z24NSTRLPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.175Ом
Power Dissipation	45Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	HEXFET
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	55В
Непрерывный Ток Стока	12А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	45Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.175Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Channel Mode	Enhancement
Forward Diode Voltage	1.6V
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	175 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Width	11.3mm
Вес, г	0.2