Мой регион: Россия

IRF9Z24NSTRLPBF, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -55 В, 0.175 Ом, -10 В, -4 В

Ном. номер: 8001882262
PartNumber: IRF9Z24NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF9Z24NSTRLPBF, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -55 В, 0.175 Ом, -10 В, -4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF9Z24NSTRLPBF, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -55 В, 0.175 Ом, -10 В, -4 В
110 руб.
795 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 85 руб.
от 100 шт. — 60 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
88 руб. 8 дней, 1130 шт. 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 59 руб.
от 500 шт. — 51 руб.
43 руб. 3-4 недели, 2400 шт. 800 шт. 800 шт.
от 2400 шт. — 38.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
45 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
11.3mm
Forward Transconductance
2.5s
Height
4.83mm
Dimensions
10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
350 pF @ -25 V
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.6V
Вес, г
0.2

Дополнительная информация

Datasheet IRF9Z24NSTRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.