IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 руб.
от 15 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 59 руб.
Описание
MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-263, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-19A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 | |
Крутизна характеристики, S | 4.2 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRF9Z34NSPBF Datasheet
pdf, 1102 КБ
Документация
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают