Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]

Артикул: IRFB31N20DPBF
Ном. номер: 2644620016
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Есть в наличии более 70 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
65 × = 65
от 50 шт. — 56 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFB31N20DPBF Datasheet
pdf, 290 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB31N20DPBF
Datasheet IRFB31N20DPBF
IRFB31N20DPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFB31N20DPBF
IRFB31N20DPbF, IRFS31N20DPbF, IRFSL31N20DPbF, HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) IRFB31N20DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов