IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]

Фото 2/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 3/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 4/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 5/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]Фото 6/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Фото 1/6 IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
852 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 15 шт.122 руб.
от 150 шт.118 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 2644620016
Артикул: IRFB31N20DPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: International Rectifier

Описание

Производитель: Infineon
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Подробности
Технология: Si
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-220-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V
Id - непрерывный ток утечки: 31 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 82 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5.5 V
Qg - заряд затвора: 70 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеивание мощности: 200 W
Канальный режим: Enhancement
Упаковка: Tube
Конфигурация: Single
Высота: 15.65 mm
Длина: 10 mm
Тип транзистора: 1 N-Channel
Ширина: 4.4 mm
Торговая марка: Infineon / IR
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 17 S
Время спада: 10 ns
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 38 ns
Подкатегория: MOSFETs
Типичное время задержки выключения: 26 ns
Типичное время задержки при включении: 16 ns
Вес изделия: 6 g

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.082 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 1.7
Корпус TO-220AB
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRFB31N20DPBF
pdf, 288 КБ
Datasheet
pdf, 309 КБ
IRFB31N20DPBF Datasheet
pdf, 290 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах