IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]

Ном. номер: 9000102734
Артикул: IRFB3307ZPBF
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]Фото 3/3 IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]
110 руб.
703 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 105 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
77 руб. По запросу 1 шт. 58 шт.
от 64 шт. — 70 руб.
от 150 шт. — 67.10 руб.
от 300 шт. — 63.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
быстродействующий мощный ключ
Пороговое напряжение на затворе
4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRFB3307ZPBF datasheet
pdf, 449 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3307ZPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.